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超宽禁带半导体材料氧化镓外延片研发与产业化
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2026/09/08基本信息
- 负责人
- 所属学院
- 项目简介 镓创未来半导体技术团队现阶段主要采用低压化学气相沉积法和雾化化学气相沉积两种外延工艺进行氧化镓同质和异质外延生长，结合氧化镓外延生长原理及材料本身特点，通过自主设计和定制化的外延生长设备，团队先后已经成功在蓝宝石、氧化镓、碳化硅、硅等成熟商业化衬底材料上实现了高质量的氧化镓外延生长，氧化镓外延产品丰富度处于国内外领先水平。公司的主营业务即用于功率和光电半导体领域氧化镓异质外延片预期将在国内占据优势地位，在细分市场份额预计可达 90%以上。未来将围绕第四代半导体氧化镓异质外延产品的研发和产业化生产，解决氧化镓材料成本高、散热差、掺杂效率低的行业痛点，主要着力实现 4英寸及以上的高质量氧化镓外延片产业化生产，并解决氧化镓p型掺杂难和散热性差的行业难题。
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