您当前的位置：成果库 > 探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法
496
2018/08/09
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 电子元器件
- 项目名称 探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明涉及一种探测范围可调的IV族红外光电探测器及其制备方法。所述制备方法包括步骤：(a)选取N型Ge衬底；(b)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述N型Ge衬底上形成N型GeSiSn缓冲层；(c)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述N型GeSiSn缓冲层上形成所述Ge/GeSiSn量子阱结构；(d)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述Ge/GeSiSn量子阱结构上形成P型Ge接触层；(e)在280℃～300℃，利用UHV‑CVD工艺，在所述P型Ge接触层上形成SiO2层；(f)金属化并光刻引线形成所述红外光电探测器。本发明实施例制备并提供探测范围可调的IV族红外光电探测器。
-
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2018/03/16
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
- 分享至：
