您当前的位置:成果库 > 含有硅通孔热应力电路的静态时序分析方法
基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 微电子
- 项目名称 含有硅通孔热应力电路的静态时序分析方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明属于涉及含有硅通孔热应力电路的静态时序分析方法,其包括以下步骤:(1)确定电路中所使用的硅通孔类型;(2)从电路中提取硅通孔各层材料和晶体管的物理参数;(3)利用应力的数学模型,得到圆柱坐标系下的单个硅通孔各层材料的径向应力和环向应力;(4)求解应力表达式中各系数的边界条件;(5)将圆柱坐标系下的应力转换到笛卡尔坐标系下的应力;(6)根据线性叠加准则得到由多个硅通孔引起的总的热应力分布;(7)计算不同沟道方向下的载流子迁移率变化的影响;(8)将载流子迁移率的变化添加到电路的门级网表中,在时序约束条件下,运行PrimeTime进行静态时序分析,得到电路的最长路径延时和时序裕量变化情况。
-
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2017/12/08
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
- 分享至: