您当前的位置：成果库 > 提高横向导电结构 SiC MOSFET 沟道迁移率的方法
329
2018/08/27
咨询成果
发布成果基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域 微电子
- 项目名称 提高横向导电结构 SiC MOSFET 沟道迁移率的方法
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明实施例涉及一种提高横向导电结构SiC MOSFET沟道迁移率的方法,包括：在P型SiC衬底上经过外延工艺形成MOSFET的N‑漂移区；在N‑漂移区内经过注入工艺形成MOSFET的源区和漏区；对已形成源区和漏区的SiC外延片的外延表面在200℃下进行紫外线氧化；RCA清洗，使得在外延表面形成Si界面结构；将SiC外延片在300℃氧气气氛中进行等离子体增强化学气相淀积PECVD预处理，将所述外延表面的Si界面结构氧化成SiO2界面层；在所述SiO2界面层上进行氧化淀积和退火，形成隔离介质层；制备多晶硅栅极和源、漏金属电极，从而形成所述横向导电结构SiC MOSFET。
-
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2017/12/01
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
- 分享至：
