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高散热高功率高效率的第三代半导体氮化镓芯片
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2026/09/08基本信息
- 负责人
- 所属学院
- 项目简介 随着现代迅猛科技发展，5G基站、卫星通信、国防雷达等领域对高性能射频芯片的提出迫切需求，尤其是其核心部件微波功率器件需满足高散热、高功率、高效率和高可靠的严苛要求，基于此人们将研究重心聚焦在高性能第三代半导体氮化镓芯片的研发上。当前，高端氮化镓器件市场主要由国外厂商主导，国内在高频大功率领域仍存在较大技术差距。本项目基于广州第三代半导体创新中心平台开展6英寸氮化镓设计、加工制造、封装测试分析等工作，通过创新器件结构设计和先进散热技术，突破功率密度、散热效率和可靠性的关键技术瓶颈，推动国产氮化镓芯片的产业化进程。
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