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高质量、低成本超宽禁带半导体氧化镓外延生长与器件产业化技术
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2026/09/08基本信息
- 负责人 张春福
- 所属学院 微电子学院
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项目简介
本项目面向行业急需，致力于推动自主研制的低成本非真空雾化化学沉积（Mist-CVD）
生长系统的成果转移转化，依托西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心，在郝跃院士的
带领与大力指导下攻坚克难，突破了如下关键科学技术难题 :（1）成功研制了 Mist-CVD 样机，系
统性掌握了 Mist-CVD 核心生长技术和氧化镓规模化制备技术；（2）建立了一套完整的氧化镓单晶
薄膜生长体系，生长的氧化镓单晶薄膜与传统复杂昂贵的薄膜外延技术相比具有同水平较高的结晶
质量；（3）形成了完整的外延材料到器件制造的生产体系，基于 Mist-CVD 外延生长的氧化镓薄膜
制作的深紫外探测器、肖特基二极管和金属氧化物场效应晶体管性能指标达到国际先进水平。 -
