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大尺寸 GaN 异质外延技术

172026/09/08
基本信息
  • 负责人 张进成,张雅超,许晟瑞
  • 所属学院 微电子学院
  • 项目简介 本项目将重点围绕 4-6 英寸碳化硅基氮化镓微波器件外延片存在的位错密度高、翘曲度大、
    均匀性差和重复性差等影响工程化批量化生产的关键难题,深入研究揭示造成上述问题的关键物理
    激励,开展深入的生长方法、生长工艺以及材料结构的改进研究,最终实现 4-6 英寸碳化硅基氮化
    镓微波器件外延片的成套工程化技术研发,实现了批量化制备,满足商用 GaN 微波功率器件产品
    制备的需要,为实现氮化镓外延片的完全产业化打通全部技术障碍。

产学研交流:15802954800

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