·依托广州第三代半导体创新中心，聚焦氮化镓（GaN）工程化技术，建国内领先中试线与实验室，具备 6/8 英寸 GaN 晶圆全流程研发能力。突破规模化应用瓶颈，开发 6 英寸 X-L 波段射频芯片、65-1700V 电力电子器件，研制国际首片 8 英寸蓝宝石基 GaN HEMTs 晶圆。团队由郝跃院士领衔，70 余名科学家组成，有 20 余年研发经验。​