·围绕硅基氮化镓毫米波器件与芯片发展面临的外延材料、基础工艺、器件结构、可靠性及产 业应用等方面挑战难题，依托宽禁带半导体国家工程研究中心、陕西省重点领域科技创新团队等优势平台团队，实现了强极化外延材料、CMOS 兼容的氮化镓工艺、新型器件结构、器件可靠性加固 等技术突破，关键技术指标及器件性能达到国内领先 / 国际先进水平。项目成果已在华为等公司实 现应用，支撑了其产品性能的提升。