·本项目将重点围绕 4-6 英寸碳化硅基氮化镓微波器件外延片存在的位错密度高、翘曲度大、 均匀性差和重复性差等影响工程化批量化生产的关键难题，深入研究揭示造成上述问题的关键物理 激励，开展深入的生长方法、生长工艺以及材料结构的改进研究，最终实现 4-6 英寸碳化硅基氮化 镓微波器件外延片的成套工程化技术研发，实现了批量化制备，满足商用 GaN 微波功率器件产品 制备的需要，为实现氮化镓外延片的完全产业化打通全部技术障碍。