氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，其具有的直接带隙、高热稳定性、高电子迁移率和饱和速度等卓越特性。异质外延 GaN 基板材料高位错密度这一贯穿其发展历程的难题，限制了 GaN 本征的材料优势。本项目在国际上率先提出了诱导成核技术并以此实现了最低位错密度的异质外延 GaN基板材料，HRXRD 摇摆曲线半高宽低至 66/96 arcsec，并兼容大尺寸 SiC/蓝宝石/Si 等异质衬底量产。本项目聚焦 GaN基板材料，攻克了高性能光电和电子器件所需的自主可控低成本、大尺寸、高质量 GaN 基板材料，部分指标处于国际先进水平，进一步有效支撑 GaN 基高性能光电与电子器件的高质量发展。